RRAM könnte DRAM und NAND-Flash ablösen
Das taiwanische Industrial Technology Research Institute arbeitet an einem neuen Speicherchip, der möglicherweise DRAM und NAND-Flash-Speicher ablösen könnte. Der Resistive-RAM (RRAM) getaufte Speicherchip befindet sich zwar noch am Anfang der Entwicklung, doch bestand der Chip bereits größere Tests wie 1 Million Zugriffszyklen und eine Belastungssimulation von 10 Jahren bei 85 Grad Celsius. RRAM basiert auf wechselbaren Metalloxide und Metallelektroden, durch die sich wie bei NAND dauerhafte Speicherzustände erreichen lassen. Allerdings soll es
im Vergleich zu NAND schneller zu Werke gehen und somit theoretisch auch DRAM ablösen können. Im Vergleich zu DRAM hätte es besonders bei einem Einsatz in mobilen Geräten den Vorteil, keinen Strom für die Beibehaltung der Speicherzustände zu benötigen. Daher arbeiten die Forscher momentan auch daran, die Speicherdichte von RRAM zu erhöhen, um sie so für mobile Anwendungen attraktiver zu machen. Nach Meinung vom Forschungsleiter Tsai Ming-jinn könnten entsprechende Chips bereits in den kommenden Jahren in Geräten zu finden sein. So führt man bereits mit Unternehmen Gespräche zur Integration von RRAM. Ob und wann der neue Speicherchip allerdings DRAM ablösen wird, ist noch nicht abzusehen. Momentan ist RRAM laut Ming-jinn noch nicht so zuverlässig wie DRAM.
Weiterführende Links: