Samsung kündigt 20nm-NAND-Flash-Chips mit 64 Gbit an
Wie Samsung bekannt gegeben hat, wurde mit der Fertigung der ersten NAND-Flash-Chips in 20 Nanometer Strukturbreite und 64 Gbit (8 GB) Kapazität begonnen. Die Chips sind als MLC (Multi Level Cell) organisiert und speichern je Flash-Zelle drei Bits. Darüber hinaus beherrschen die neuen Chips Toggle DDR, womit sie im Vergleich zum bisherigen Flash-Speicher mit 32 Gbit Kapazität (4 GB) und SDR eine
Geschwindigkeitssteigerung um bis zu 60 Prozent bieten. Die neue NAND-Flash-Chips mit 8 GB Kapazität sollen zunächst vor allem in Smartphones zum Einsatz kommen, wo sich die geringe Strukturbreite durch eine kompaktere Bauweise und geringere Leistungsaufnahme besonders bezahlt macht. Später dürften die Chips aber auch in SSDs sowie Speicherkarten für Digital-Kameras zum Einsatz kommen.
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