Toshiba hat eine neue Generation 3D-Flashspeicher angekündigt. Dabei handelt es sich um in 48 Schichten gestapelte zweidimensionale Leiterbahnen. Mittels TLC-Technik werden drei Bit in eine Speicherzelle abgelegt. Dadurch kann ein Speicherchip 256 Gbit (32 GB) aufnehmen. Die Testproduktion wird momentan vorbereitet und soll im kommenden Monat beginnen. Frühestens 2016 könnte Apple also die Speicherkapazität von iPhone und iPad verdoppeln. Angesichts der Produktionsmengen ist aber auch ein späterer Zeitpunkt denkbar.

Neben dem neuen 3D-Flashspeicher hat Toshiba auch einen neuen Prototyp mit bis zu 2048 Gbit (256 GB) vorgestellt. Dank neuer Technik zur Stapelung bietet der Speicherchip neben einer höheren Kapazität auch schnellere Zugriffsraten. Die einzelnen Schichten sind nämlich erstmals mit Leiterbahnen statt Drähten verbunden. Toshiba zufolge sind damit Geschwindigkeiten von mehr als 1 Gbps (128 GB/Sekunde) je Speicherchip möglich. Zusätzlich ließ sich der Stromverbrauch um ungefähr 50 Prozent reduzieren. Zur Serienfertigung und Verfügbarkeit macht Toshiba leider keine Angaben.



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