Golem berichtet, dass Intel für Stromspar-Chips die zweite Generation seiner Strained-Silicon-Fertigung mit acht Hochgeschwindigkeits-Kupferverbindungen und ein Low-k-Dielektrikum einsetzen will. Die neue Generation produziert nur noch ein Tausendstel der Leckströme bisheriger 65-nm-Fertigungstechnik, obwohl die Verbindungen dichter aber auch dünner sind. Dadurch kann die Spannung für diese Chips deutlich reduziert werden. Intel will zunächst die neue Generation zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei Handys und PDAs einsetzen.

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