Wie Samsung meldet, hat man nach eigenen Angaben als weltweit erster Hersteller mit der Serienfertigung von Flash-Speicher in 30 Nanometer Strukturbreite begonnen. Die gefertigten NAND-Chips nutzen die kostengünstige 3 Bit MLC-Technik (Multi Level Cell) und bieten eine Kapazität von 32 Gbit (4 GB). Die neuen Chips sollen eine Lesegeschwindigkeit von 133 Mbit bzw. 16,6 MB je Sekunde erreichen. Ermöglicht wird dies durch ein asynchrones DDR-Interface, welches bei gleicher Leistungsaufnahme mehr als die doppelte Menge an Daten übertragen kann. Bisher erreichten die MLC-NAND-Chips von Samsung eine Lesegeschwindigkeit von 40 Mbit je Sekunde. Zu den Schreibgeschwindigkeiten hat Samsung keine Angaben gemacht. Die neuen Chips werden laut Samsung vor allem in SSD-Laufwerken und SD-Speicherkarten Verwendung finden. Im Fall von Speicherkarten sollen die NAND-Chips aufgrund der geringeren Leistungsaufnahme Lesegeschwindigkeiten von nur 60 Mbit bzw. 7,5 MB je Sekunde ermöglichen.

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