Toshiba und NEC entwickeln 16 MBit MRAM-Chip mit Geschwindigkeiten von 200 MB/s
Toshiba und NEC haben in einer gemeinsamen Pressemitteilung bekannt gegeben, dass sie einen 16 MBit MRAM-Chip (Magneto-resistive Random Access Memory) mit einer Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 200 MB/s entwickelt haben. MRAM ist ein nichtflüchtiger Speicherchip auf Basis magnetischer Ladungselemente, der
anders als Flash-Speicher unendlich oft beschrieben werden kann. Laut Pressemitteilung ist diese Kombination aus Geschwindigkeit und Miniaturisierung weltweit einmalig.
Darüber hinaus hat Toshiba einen 64 MBit (8 MB) FRAM-Chip (Ferroelectric Random Access Memory) entwickelt, der ebenfalls eine Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 200 MB/s bietet. FRAM basiert auf Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, die in einer DRAM-Zelle anstelle normaler Kondensatoren eingesetzt werden, und ähnliche Eigenschaften wie Flash-Speicher aufweisen.
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